離子源
OIS-Four
OIS-Four是光馳(chi)自(zi)行開發(fa)(fa)的離子(zi)輔(fu)助(zhu)蒸度高(gao)(gao)性能射頻(pin)（RF）離子(zi)源，適于(yu)在(zai)高(gao)(gao)速率(lv)下(xia)的離子(zi)束(shu)輔(fu)助(zhu)沉積(ji)（IAD）及清洗。柵網口徑雖然(ran)只有10CM，但是設計上充分考慮到高(gao)(gao)電(dian)流密度，均一性，搭載(zai)在(zai)光馳(chi)的成膜設備OTFC-600,OTFC-900進行工(gong)件架的全(quan)面(mian)照射，適于(yu)各種光學濾光片的中規(gui)模(mo)量(liang)產，試制，研究開發(fa)(fa)。
- 特征
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同使用燈絲型的(de)離子源比較，壽命(ming)長，污染(ran)少。
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高離子電(dian)流密度和均勻分(fen)布，照射(she)面(mian)積能達到(dao)Ф800mm以上
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動作安定性高，能長時間運轉(zhuan)
- 規格
- 尺寸 φ 224mm ×143mm (H)
- 柵網尺寸 Ф 10cm(Molybdenum制3枚)
- 離子束電壓 100V～1500V
- 離(li)子束電(dian)流 500mA(max)
- Acc電壓 100V～1000V
- RF功率 600W(max)
- 氣(qi)體(ti)流量 25sccm～35sccm（氬氣）10sccm～20sccm（氬氣）
- 使(shi)用壓力 5.0 ×10-2 Pa
- 水冷方式(shi) RF線(xian)圈和本(ben)體
- 中和器規格
- 尺(chi)寸(cun) φ 6cm × 8cm
- 發射電(dian)流 1500mA(max)
- RF功率 150W(max)
- 氣(qi)體(ti)流(liu)量 5sccm～8sccm（氬氣）
